140 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-verstärkten VDMAsfets nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● Hoher Lawinenstrom
● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤3,5 mΩ)
● Niedrige Gate-Ladung (Typ: 121 nC)
● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 640 pF)
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● DC-DC-Wandler
● Stromversorgung
| VDSS |
RDS(ein)(TYP) |
AUSWEIS |
| 40V |
2,3 mΩ |
140A |