未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

Të gjitha Produktet

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanaleve N 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68 V 80 A Donghai_DTD080N07N_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
Rregullatori i tensionit me tre terminale IC L7810 TO-220M L7810 TO-220 M 10 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 50A me fuqi MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30 V 50 A Donghai_DHB50N03&DHD50N03_Datasheet_V1.0.pdf
14A 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
150V/9,5mΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150 V 52A Donghai+DHS110N15F+Fletë të të dhënave+V1.0.pdf
18A 500V N-kanal i përmirësimit MOSFET Fuqia MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180 A Specifikimi i pajisjes DH8004 (2).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
4,5A 650V 650V-N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650 V 4.5A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf
Paketa NPN Epitaxial silic transistor TIP122 TO-220M TIP127 TO-220 M -100 V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Paketa NPN Epitaxial silic transistor TIP122 TO-220M TIP122 TO-220 M 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
-30A -100V modaliteti i përmirësimit të kanalit P me fuqi MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100 V -30 A Specifikimi i pajisjes DH100P30CB1Q.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Sheet_V1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
100A 650V Moduli i gjysmë urës Moduli IGBT DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650 V 100A DGA100H65M2T.pdf
Transistor bipolar i portës së izoluar 18A 650 V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Specifikimi i pajisjes DHG20T65D(TO-220F).pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com