ច្រកទ្វារ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
អ្នកនៅទីនេះ៖ ផ្ទះ » ផលិតផល
ម៉ូដែល៖
កញ្ចប់៖
វី៖
ក៖
បន្ទាត់ផលិតផលដែលបានជ្រើសរើស៖

ផលិតផលទាំងអស់។

រូបភាព គំរូ កញ្ចប់ V A ឯកសារទិន្នន័យ ព័ត៌មានលម្អិត ការសាកសួរ បន្ថែមទៅកញ្ចប់
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50 អា ការបញ្ជាក់ឧបករណ៍ DHP50P04(DFN56)(1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT ដល់-២៤៧ 100V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 ដល់-២៦៣ 100V 170 អេ សន្លឹកទិន្នន័យ DSG030N10N3&DSE028N10N3_V1.0.pdf
20A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20 ក 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A 650V ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល IGBT ម៉ូឌុល DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T ៣៤ ម។ 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
ការងើបឡើងវិញលឿន diode 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
120A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 ដល់ -២២០ អង្សាសេ 40V 120A ឧបករណ៍ DH033N04 Specification.pdf
160A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160 អា ឧបករណ៍ DH020N03P Specification.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W ដល់-២៤៧ 650V ២១ ក DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
180A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 ដល់ -២២០ អង្សាសេ 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+សន្លឹកទិន្នន័យ+V3.0.pdf
50A 650V ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល IGBT ម៉ូឌុល DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T ៣៤ ម។ 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 ដល់ -២២០ អង្សាសេ 150V 90A ឧបករណ៍ DHS110N15 Specification Rev.1.0.pdf
15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V ១៥ ក ឧបករណ៍ DH850N10 Specification.pdf
100A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 ដល់ -២២០ អង្សាសេ 60V 100A DH066N06D_សន្លឹកទិន្នន័យ_V2.0.pdf
18A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18 ក ឧបករណ៍ DH100P18 B79 Specification.pdf
47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET TO-220C DHS180N10L ដល់ -២២០ អង្សាសេ 100V 47 ក ឧបករណ៍ DHS180N10L Specification.pdf
ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 ម។ 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល IGBTModule DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 ម។ 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
 N-channel Enhancement Mode ថាមពល MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 ដល់ -២២០ អង្សាសេ 60V 145A ឧបករណ៍ DH045N06 Specification.pdf

វីដេអូផលិតផល

  • ចុះឈ្មោះសម្រាប់ព្រឹត្តិប័ត្រព័ត៌មានរបស់យើង។
  • ត្រៀមខ្លួនសម្រាប់
    ការចុះឈ្មោះនាពេលអនាគតសម្រាប់ព្រឹត្តិបត្ររបស់យើង ដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានថ្មីៗត្រង់ទៅកាន់ប្រអប់សំបុត្ររបស់អ្នក។