未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40 V -50A Špecifikácia zariadenia DHP50P04(DFN56)(1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100 V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200 V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
170A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A 650V modul polovičného mostíka IGBT modul DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650 V 75A DGA75H65M2T.pdf
Rýchla obnovovacia dióda 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200 V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Zariadenie DH033N04 Špecifikácia.pdf
160A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Špecifikácia zariadenia DH020N03P.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
180A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
50A 650V modul polovičného mostíka IGBT modul DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650 V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Špecifikácia zariadenia DHS110N15 Rev.1.0.pdf
15A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Špecifikácia zariadenia DH850N10.pdf
100A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Zariadenie DH100P18 B79 Špecifikácia.pdf
47A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Špecifikácia zariadenia DHS180N10L.pdf
150A 1200V Modul polovičného mostíka DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V Modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Zariadenie DH045N06 Špecifikácia.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com