未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balík:
V:
A:
Vybrané produktové rady:

Všetky výrobky

obrazového modelu Balík v DataShet do podrobne popisuje dopyt koša
10A 700V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 Až 220f 700 V 10a 英文版 F10N70 技术规格书 rev1.0.pdf
13A 500V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 13N50 až 220c 13n50 Až 220 ° C 500 V 13a 英文版 13n50 技术规格书 .pdf
Režim vylepšenia n-kanála Power MOSFET 8A 500V D8N50 až 252b D8N50 Až 252b 500 V 8a 英文版 D8N50 技术规格书 Rev1.1.pdf
41A 650V N-Kannel SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 Až 247 650V 41a DCC060M65G2 a DCCF060M65G2_DATASEEet_V1.0.pdf
5A 1200V SIC Schottky Barrier Diód DCD05D120G3
14A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET F14N65 TO-220F F14n65 Až 220f 650V 14A 英文版 f14n65 技术规格书 ay3.pdf
12A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET F12N65 F12N65 Až 220f 650V 12A 英文版 F12N65 技术规格书 rev1.0.pdf
25A 650V SIC Schottky Barrier DIODE DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
N-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET 10A 600V 10N60 10n60
5A 500V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 5N50 5n50
120A 1200V N-Channel SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 Až 247 1200 V 120a DCC016M120G2 a DCCF016M120G2_DATASEEet_V1.0.pdf
25A 1700V SIC Schottky Barrier Diód DCCT25D170G1 Až 247-2L 1700 V 25a Zariadenie DCCT25D170G1 Špecifikácia.pdf
20A 60 V Low VF Schottky Barrier Diode HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 Až 252b 60 V 20A 英文版 HMBRD20R60 技术规格书 TO-252B-REV-1.1.pdf
180A 60V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 Až 220 ° C 60 V 180A Donghai+DHS015N06 a DHS015N06E+DataShet+Rev.1.0.pdf
4A 600V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET B4N60 B4N60 Až 251b 600 V 4a 英文版 B4N60 技术规格书 .pdf
2A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET B2N65 B2N65 Až 251b 650V 2a 英文版 B2N65 技术规格书 .pdf
Režim vylepšenia n-kanála Power MOSFET 13A 500V E13N50 až 263 E13N50 Na 263 500 V 13a 英文版 E13N50 技术规格书 .pdf
Režim vylepšenia N-kanála Power MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-xad Až 252b 650V 5a 英文版 D5N65-XAD 技术规格书 .pdf
7A 700V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET D7N70 až 252b D7N70 Až 252b 700 V 7a 英文版 d7n70 技术规格书 .pdf
5A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 Až 251b 650V 5a 英文版 B5N65 技术规格书 max.pdf

Video produkt

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com