未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
40A 200V SchottkyBarrierDiode MBR40200CT TO-3PN MBR40200CT TO-3PN 200V 40A 英文版MBR40200CT技术规格书3PN.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
F8N70
30A 600V Dióda rýchlej obnovy MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600 V 30A 英文版 MUR3060 技术规格书.pdf
10N65/F10N65/I10N65
F20N50/20N50B
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100 V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolárny tranzistor DGC40H120M2 TO-247 DGC40H120M2 TO-247 1200V 40A DGC40H120M2 - datasheet.pdf
100 V/2,9 mΩ/190 A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A TOLL 100 V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
85A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80 V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
100A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700 V 10A 英文版D10N70技术规格书REV1.0.pdf
12N65/F12N65
DHD10N65
F7N70/B7N70/D7N70
F4N70/B4N70/D4N70
116A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH070N06 TO-220C 60 V 88A Špecifikácia zariadenia DH070N06(2).pdf
8N65/F8N65
F20N65

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com