未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
F7N70/B7N70/D7N70
F4N70/B4N70/D4N70
116A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH070N06 TO-220C 60 V 88A Špecifikácia zariadenia DH070N06(2).pdf
F20N65
G50N120D
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+DataSheet+V2.0 .pdf
68A 1200V N-kanálový SIC napájací MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700 V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
36A 1200V N-kanálový SIC napájací MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700 V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60 V 238A Zariadenie DH026N06 Špecifikácia.pdf
80A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Zariadenie DH072N07 Špecifikácia.pdf
30A 100V Schottkyho bariérová dióda TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100 V 30A 英文版MBRF30100CT技术规格书REV1.1.pdf
80A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Zariadenie DH072N07 Špecifikácia.pdf
DGC75C120M2T
100A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30 V 100A Zariadenie DH033N03 Špecifikácia(1).pdf
110A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85V 110A Špecifikácia zariadenia DHS055N85.pdf
180A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100 V 180A Zariadenie+DHS035N10&DHS035N10E+Špecifikácia+Rev.1.0 (1).pdf
160A 650V modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34 mm 650 V 160A DGA160H65M2T.pdf
Balenie NPN Epitaxial Silicon Tranzistor MJD127 TO-252 127 MJD TO-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
116A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH070N07 TO-220C 70 V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com