brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » F7N70/B7N70/D7N70

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

F7N70/B7N70/D7N70

7A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:

7A 700V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto silikónové N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje

stratu vodivosti, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS.

2 Vlastnosti

● Rýchle prepínanie

● Vylepšená schopnosť ESD

● Nízky odpor (Rdson≤1,75Ω)

● Nízke nabitie brány (Typ: 26nC)

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 4,5 pF)

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS

3 Aplikácie

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.

● Obvod vypínača adaptéra a nabíjačky.


VDSS RDS(zapnuté)(TYP) ID
700 V 1,35Ω 7A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty