ຮູບແບບການປັບປຸງ 700V N-channel-channel-vanience-virage Power Power Mosfet
1
Silicon N-channel ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ vdmosfets ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຢີຂອງແຜນທີ່ຂອງຕົວເອງທີ່ຫຼຸດລົງ
ການສູນເສຍການຍ່ອຍສະຫຼາຍ, ປັບປຸງການປ່ຽນແປງຂອງການປ່ຽນແປງແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານທີ່ເຫົບ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ Rohs.
2 ລັກສະນະ
●ສະຫຼັບໄວ
● Esd ປັບປຸງຄວາມສາມາດ
●ຕ່ໍາສຸດທີ່ຕ້ານທານ (rdson≤1.75ω)
●ຄ່າບໍລິການທີ່ຕ່ໍາ (PRUT: 27NC)
●ມີການໂອນເງິນທີ່ມີການໂອນເງິນຕໍ່າ (ປະເພດ: 4.5pf)
● 100% SLULE ALALANCHE PURANCECE PORTALLECE
● 100% ການທົດສອບδvds
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
●ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງ.
circle ວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຂອງຜູ້ດັດແປງແລະເຄື່ອງຊາດ.
ຕິດຕາມ VDSS | Rds (On) (ປະເພດ) | ບັດປະຈໍາຕົວ |
700V | 1.35ω | 7a |
ຮູບແບບການປັບປຸງ 700V N-channel-channel-vanience-virage Power Power Mosfet
1
Silicon N-channel ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ vdmosfets ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຢີຂອງແຜນທີ່ຂອງຕົວເອງທີ່ຫຼຸດລົງ
ການສູນເສຍການຍ່ອຍສະຫຼາຍ, ປັບປຸງການປ່ຽນແປງຂອງການປ່ຽນແປງແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານທີ່ເຫົບ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ Rohs.
2 ລັກສະນະ
●ສະຫຼັບໄວ
● Esd ປັບປຸງຄວາມສາມາດ
●ຕ່ໍາສຸດທີ່ຕ້ານທານ (rdson≤1.75ω)
●ຄ່າບໍລິການທີ່ຕ່ໍາ (PRUT: 27NC)
●ມີການໂອນເງິນທີ່ມີການໂອນເງິນຕໍ່າ (ປະເພດ: 4.5pf)
● 100% SLULE ALALANCHE PURANCECE PORTALLECE
● 100% ການທົດສອບδvds
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
●ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງ.
circle ວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຂອງຜູ້ດັດແປງແລະເຄື່ອງຊາດ.
ຕິດຕາມ VDSS | Rds (On) (ປະເພດ) | ບັດປະຈໍາຕົວ |
700V | 1.35ω | 7a |