ရရှိမှု - | |
---|---|
အရေအတွက်: | |
7A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Mosfet
1 ဖော်ပြချက်
ဤဆီလီကွန် N-channel ကို Enhanced VDMosfets များကို Selignmosfets ကိုလျှော့ချသည်
conduction ဆုံးရှုံးမှု, switching စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးတက်အောင်လုပ်ပြီး avalanche စွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးပါ။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
●မြန်ဆန်စွာ switching
● ESD တိုးတက်လာသောစွမ်းရည်
●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (rdson≤1.75ω)
●ဂိတ်အနိမ့်ဆုံး (Typ: 26NC)
●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (စာတို - 4.5pf)
● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု
3
● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။
● adapter နှင့် charger ၏ power switch circuit ။
VDSS | RDS (အပေါ်) | သတ် |
700v | 1.35ω | 7a |
7A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Mosfet
1 ဖော်ပြချက်
ဤဆီလီကွန် N-channel ကို Enhanced VDMosfets များကို Selignmosfets ကိုလျှော့ချသည်
conduction ဆုံးရှုံးမှု, switching စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးတက်အောင်လုပ်ပြီး avalanche စွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးပါ။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
●မြန်ဆန်စွာ switching
● ESD တိုးတက်လာသောစွမ်းရည်
●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (rdson≤1.75ω)
●ဂိတ်အနိမ့်ဆုံး (Typ: 26NC)
●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (စာတို - 4.5pf)
● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု
3
● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။
● adapter နှင့် charger ၏ power switch circuit ။
VDSS | RDS (အပေါ်) | သတ် |
700v | 1.35ω | 7a |