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Diodo barriera Schottky 40A 200V MBR40200CT TO-3PN MBR40200CT TO-3PN 200 V 40A 英文版MBR40200CT技术规格书3PN.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
F8N70
Diodo a recupero rapido 30A 600V MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600 V 30A 英文版 MUR3060 技术规格书.pdf
10N65/F10N65/I10N65
F20N50/20N50B
MOSFET N 100 V/1,5 mΩ/240 A DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100 V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 40A 1200V DGC40H120M2 TO-247 DGC40H120M2 TO-247 1200 V 40A DGC40H120M2 - scheda tecnica.pdf
100 V/2,9 mΩ/190 A N-MOSFET DSU035N10N3A PEDAGGIO DSU035N10N3A PEDAGGIO 100 V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 85 A 80 V DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80 V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 68 V DHS031N07P DFN5 * 6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700 V 10A 英文版D10N70技术规格书REV1.0.pdf
12N65/F12N65
DHD10N65
F7N70/B7N70/D7N70
F4N70/B4N70/D4N70
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 116 A 68 V DH070N06 TO-220C 60 V 88A Specifiche del dispositivo DH070N06(2).pdf
8N65/F8N65
F20N65

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