Transistor bipolare con gate isolato Trenchstop da 40 A 1200 V
1 Caratteristiche
Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano eccellenti Vcesat e velocità di commutazione, bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Vcesat basso
● Carica di gate bassa
● Eccellente velocità di commutazione
● Facile capacità di collegamento in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in Vcesat
● Tsc≥6μs
● Diodo antiparallelo a corrente completa a ripristino rapido
3 applicazioni
● Saldatura
●UPS
● Invertitore a tre livelli
| Vces |
Pacchetto |
Ic(Tj=100℃) |
| 1200 V |
TO-247-3L |
40A |