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40A 1200V Transistor bipolare a trench a trench di trench dgc40h120m2 to-247

Questi transistor bipolari a gate isolati hanno utilizzato una progettazione avanzata di trincea e tecnologia fieldstop, hanno fornito un'eccellente velocità VCEAT e di commutazione, bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS.
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Transistor bipolare da gate isolato a trench da 1200 V 40A


1 caratteristiche 

Questi transistor bipolari a gate isolati hanno utilizzato una progettazione avanzata di trincea e tecnologia fieldstop, hanno fornito un'eccellente velocità VCEAT e di commutazione, bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS. 


2 caratteristiche 

● VCEAT basso

● Carica a basso gate

● Eccellente velocità di commutazione 

● Capacità di parallelo facile dovuta al coefficiente di temperatura positivo in VCESAT 

● TSC≥6µs 

● Diodo anti-parallelo a corrente completa di recupero veloce 


3 applicazioni 

● Saldatura

● UPS 

● Inverter a tre leve

VCE Pacchetto IC (TJ = 100 ℃)
1200v To-247-3L 40a 


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