40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC40H120M2 TO-247

40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

1 Vipengele 

Transistor ya Lango Lililohamishwa la Bipolar ilitumia mfereji wa hali ya juu na muundo wa teknolojia ya Fieldstop, ilitoa Vcesat bora na kasi ya kubadili, malipo ya chini ya lango. Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS. 

2 Sifa 

● Vcesat ya Chini

● Malipo ya lango ya chini

● Kasi bora ya kubadili 

● Uwezo rahisi wa kusawazisha kwa sababu ya Mgawo chanya wa halijoto katika Vcesat 

● Tsc≥6µs 

● Urejeshaji wa haraka wa diodi ya sasa ya kupambana na sambamba 

3 Maombi 

● Kulehemu

● UPS 

● Kigeuzi cha ngazi tatu

Vces	Kifurushi	Ic(Tj=100℃)
1200V	HADI-247-3L	40A