40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC40H120M2 TO-247

40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

အင်္ဂါရပ်များ ၁ 

ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Vcesat နှင့် switching speed ၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● အနိမ့် Vcesat

● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ

● အထူးကောင်းမွန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်း 

● Vcesat တွင် အပြုသဘောဆောင်သော အပူချိန် Coefficient ကြောင့် အပြိုင်ရလွယ်သည်။ 

● Tsc≥6µs 

● လျင်မြန်စွာ ပြန်လည်ရယူခြင်း အပြည့်အဝ လက်ရှိဆန့်ကျင်သည့် အပြိုင်ဒိုင်အိုဒ 

3 လျှောက်လွှာများ 

● ဂဟေဆော်ခြင်း။

● UPS 

● သုံးအဆင့် အင်ဗာတာ

Vces	အထုပ်	Ic(Tj=100℃)
1200V	TO-247-3L	40A