Größe: 150 x 50 Pixel 
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| Menge: | |
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DGC40H120M2
WXDH
40 A 1200 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate
1 Funktionen
Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Niedriger Vcesat
● Niedrige Gate-Ladung
● Hervorragende Schaltgeschwindigkeit
● Einfache Parallelschaltungsfähigkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vcesat
● Tsc≥6µs
● Antiparallele Diode mit schneller Wiederherstellung und vollem Strom
3 Anwendungen
● Schweißen
● USV
● Dreistufiger Wechselrichter
| Vces | Paket | Ic(Tj=100℃) |
| 1200V | TO-247-3L | 40A |
40 A 1200 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate
1 Funktionen
Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Niedriger Vcesat
● Niedrige Gate-Ladung
● Hervorragende Schaltgeschwindigkeit
● Einfache Parallelschaltungsfähigkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vcesat
● Tsc≥6µs
● Antiparallele Diode mit schneller Wiederherstellung und vollem Strom
3 Anwendungen
● Schweißen
● USV
● Dreistufiger Wechselrichter
| Vces | Paket | Ic(Tj=100℃) |
| 1200V | TO-247-3L | 40A |
