40 A 1200 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC40H120M2 TO-247

40 A 1200 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate

1 Funktionen 

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Niedriger Vcesat

● Niedrige Gate-Ladung

● Hervorragende Schaltgeschwindigkeit 

● Einfache Parallelschaltungsfähigkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vcesat 

● Tsc≥6µs 

● Antiparallele Diode mit schneller Wiederherstellung und vollem Strom 

3 Anwendungen 

● Schweißen

● USV 

● Dreistufiger Wechselrichter

Vces	Paket	Ic(Tj=100℃)
1200V	TO-247-3L	40A