未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
50A 1200V PIM w jednym pakiecie Moduł IGBT DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200 V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
MOSFET mocy w trybie N, 60 A, 20 V DH048N02B/DH048N02D
21A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100 V 25A Specyfikacja urządzenia 25N10.pdf
Prostownik sterowany krzemem seria 600 V / 800 V 12A BT151 TO-220M BT151 TO-220M 600 V/800 V 12A Wersja BT151-Rev. 1.2 技术规格书 BT151(252).pdf
Seria TRIAC 600V/800V 8A BT137-600E TO-220M BT137-600E TO-220M 600 V/800 V 8A 英文版BT137-600E 技术规格书触发H.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS021N04D TO-252B DHS021N04D TO-252B 40 V 120A Donghai+DHS021N04D+karta katalogowa+V3.0.pdf
Seria TRIAC 600V/800V 4A BT136-600E TO-220M BT136-600E TO-220M 600 V/800 V 4A 英文版BT136技术规格书REV1.2.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC DHD7806 TO-220M DHD7806 TO-220M 6 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200 V 110A DSE108N20NA_Arkusz danych_V1.0.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7808 TO-220M L7808 TO-220M 8 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60 V 20A Specyfikacja urządzenia DH9Z24B1R Rev.1.0.pdf
20A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100 V 20A Podręcznik MBRF20100CT 技术规格书REV1.0.pdf
85V/0,9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A OPŁATA DSU011N08N3A MYTO 85 V 360A DSU011N08N3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCGT10D65G4.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 50A, 650 V, G50T65DS TO-247S G50T65DS TO-247S 650 V 50A arkusz danych.pdf
25A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specyfikacja urządzenia DH100P25.pdf
Dioda barierowa 40A 650V SiC Schottky'ego DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V 40A Specyfikacja urządzenia DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85 V 180A Urządzenie+DSG041N08NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7809 TO-220M L7809 TO-220M 9V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com