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F7N70/B7N70/D7N70
F4N70/B4N70/D4N70
116 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH070N06 TO-220C 60V 88A Gerätespezifikation DH070N06(2).pdf
F20N65
G50N120D
105 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Datenblatt+V2.0 .pdf
68 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
238 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238A Gerätespezifikation DH026N06.pdf
80 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Gerätespezifikation DH072N07.pdf
30 A 100 V Schottky-Diode TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100V 30A 英文版MBRF30100CT术规格书REV1.1.pdf
80 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Gerätespezifikation DH072N07.pdf
DGC75C120M2T
100 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Gerätespezifikation DH033N03(1).pdf
110 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85V 110A Gerätespezifikation DHS055N85.pdf
180 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100V 180A Gerät+DHS035N10&DHS035N10E+Spezifikation+Rev.1.0 (1).pdf
160A 650V Halbbrückenmodul IGBTModule DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34mm 650V 160A DGA160H65M2T.pdf
NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor MJD127 TO-252-Gehäuse MJD127 TO-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127术规格书.pdf
1200 V/16 mΩ/110 A SiC-MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
116 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH070N07 TO-220C 70V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf

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