80A 68V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET DH072N07E TO-263

80A 68V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen

● DC-DC-Konverter 

● UPS -Stromversorgung 

● LED -Boost