1200 V/16 mΩ/110 A SiC-MOSFET DCC016M120G3 TO-247

1200 V/16 mΩ/110 A SiC-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 

2 Funktionen 

• Höhere Systemeffizienz 

• Reduzierter Kühlbedarf 

• 175℃ Betriebstemperatur 

• Erhöhte Leistungsdichte 

• Erhöhte Systemschalthäufigkeit

3 Anwendungen 

● Solar- und USV-Wechselrichter

● Netzteile

● Hochspannungs-DC/DC-Wandler

● Schaltnetzteile

● Anwendungen mit gepulster Leistung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS	Vth
1200V	16mΩ	110A	2,5V