1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247

1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET

1 Përshkrimi 

Kjo familje produktesh ofron performancë moderne. Është projektuar për aplikime me frekuencë të lartë ku kë 

2 Karakteristikat 

• Efikasitet më i lartë i sistemit 

• Kërkesa të reduktuara për ftohje 

• Temperatura e funksionimit 175℃ 

• Rritja e densitetit të fuqisë 

• Rritja e frekuencës së ndërrimit të sistemit

3 Aplikacionet 

● Inverterë diellorë dhe UPS

● Furnizimet me energji elektrike

● Konvertuesit e tensionit të lartë DC/DC

● Furnizimet me energji elektrike të modalitetit të ndërrimit

● Aplikacionet Pulsed Power

VDSS	RDS(aktiv) (TYP)	ID	Vth
1200 V	16 mΩ	110A	2.5 V