MOSFET de SiC DCC016M120G3 TO-247 de 1200V/16mΩ/110A

MOSFET de SiC de 1200V/16mΩ/110A

1 Descripción 

Esta familia de productos ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 

2 características 

• Mayor eficiencia del sistema 

• Requisitos de refrigeración reducidos 

• Temperatura de funcionamiento de 175 ℃ 

• Mayor densidad de energía 

• Mayor frecuencia de conmutación del sistema

3 aplicaciones 

● Inversores solares y UPS

● Fuentes de alimentación

● Convertidores CC/CC de alto voltaje

● Fuentes de alimentación de modo conmutado

● Aplicaciones de energía pulsada

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN	quinto
1200V	16mΩ	110A	2,5 V