1200 В/16 МОм/110 А SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247

1200 В/16 МОм/110 А SiC МОП-транзистор

1 Описание 

Это семейство продуктов предлагает самые современные характеристики. Он предназначен для высокочастотных применений, где требуются высокая эффективность и высокая надежность. 

2 особенности 

• Более высокая эффективность системы 

• Снижение требований к охлаждению. 

• Рабочая температура 175 ℃ 

• Повышенная плотность мощности 

• Повышенная частота переключения системы.

3 приложения 

● Инверторы для солнечных батарей и ИБП.

● Источники питания

● Преобразователи постоянного тока высокого напряжения.

● Импульсные источники питания.

● Приложения с импульсным питанием

ВДСС	RDS(вкл.)(ТИП)	ИДЕНТИФИКАТОР	Vth
1200В	16мОм	110А	2,5 В