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1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247

이 제품군은 최첨단 성능을 제공합니다. 고효율과 높은 신뢰성이 요구되는 고주파 애플리케이션용으로 설계되었습니다.
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1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET


1 설명 

이 제품군은 최첨단 성능을 제공합니다. 고효율과 높은 신뢰성이 요구되는 고주파 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 


2 특징 

• 더 높은 시스템 효율성 

• 냉각 요구 사항 감소 

• 작동 온도 175℃ 

• 전력 밀도 증가 

• 시스템 전환 빈도 증가


3 응용 

● 태양광 및 UPS 인버터

● 전원 공급 장치

● 고전압 DC/DC 컨버터

● 스위치 모드 전원 공급 장치

● 펄스 전력 애플리케이션


VDSS RDS(켜짐)(일반) ID Vth
1200V 16mΩ 110A 2.5V


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