80 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH072N07D TO-252B

80 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen

● DC-DC-Wandler 

● USV-Stromversorgung 

● LED-Boost

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
68V	7,2 mΩ	80A