80A 68V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน
1 คำอธิบาย
มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
2 คุณสมบัติ
● การสลับอย่างรวดเร็ว
● กระแสหิมะถล่มสูง
● ความต้านทานต่ำ
● ค่าเกตต่ำ
● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%
● การทดสอบ ΔVDS 100%
3 การใช้งาน
● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน
● ตัวแปลง DC-DC
● แหล่งจ่ายไฟของยูพีเอส
● ไฟ LED เพิ่ม
| วีดีเอสเอส |
RDS (บน) (ประเภท) |
บัตรประจำตัวประชาชน |
| 68V |
7.2mΩ |
80เอ |