MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07D TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 80 A y 68 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Cambio rápido

● Alta corriente de avalancha 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Convertidores CC-CC 

● Fuente de alimentación del SAI 

● impulso LED

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
68V	7,2 mΩ	80A