F4N70/B4N70/D4N70

4A 700V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese Silizium-N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die die verringert

Leitungsverlust, Verbesserung der Schaltleistung und Verbesserung der Lawinenenergie. Das entspricht dem ROHS -Standard.

2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● ESD verbesserte die Fähigkeit

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 3,3 Ω)

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 12.7nc)

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 2.7PF)

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet.

● Stromschaltkreis von Adapter und Ladegerät.