4A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Vdmosfet silikon saluran N yang dipertingkatkan ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan
kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
2 Ciri
● Penukaran pantas
● ESD meningkatkan keupayaan
● Rintangan rendah (Rdson≤3.3Ω)
● Caj pintu rendah (Jenis: 12.7nC)
● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (Jenis: 2.7pF)
● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal
● 100% ujian ΔVDS
3 Aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengecilan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa penyesuai dan pengecas.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 700V |
2.65Ω |
4A |