F4N70/B4N70/D4N70

4A 700V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet

1 Beskrivelse

Disse silicium-N-kanals forbedrede VDMOSFET'er opnås af den selvjusterede plane teknologi, der reducerer

Ledningstab, forbedrer skiftens ydeevne og forbedrer lavineenergien. Der stemmer overens med ROHS -standarden.

2 funktioner

● Hurtig skift

● ESD forbedret kapacitet

● Low On Resistance (Rdson≤3,3Ω)

● Lav gateopladning (TYP: 12.7NC)

● Lav omvendt overførselskapacitanser (TYP: 2,7PF)

● 100% enkelt puls -lavine energitest

● 100% ΔVDS -test

3 applikationer

● Brugt i forskellige strømafbryderkredsløb til systeminiaturisering og højere effektivitet.

● Strækkontaktkredsløb af adapter og oplader.