F4N70/B4N70/D4N70

MOSFET i fuqisë 4A 700V i modalitetit të përmirësimit të kanalit N

1 Përshkrimi

Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal silikoni N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-drejtuar e cila redukton

humbja e përçueshmërisë, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS.

2 Karakteristikat

● Ndërrimi i shpejtë

● Aftësia e përmirësuar ESD

● Rezistencë e ulët (Rdson≤3,3Ω)

● Ngarkesa e ulët e portës (Lloji: 12,7 nC)

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Lloji: 2,7 pF)

● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm

● Testi 100% ΔVDS

3 Aplikacionet

● Përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë.

● Qarku i ndërprerësit të rrymës së përshtatësit dhe karikuesit.

VDSS	RDS(aktiv) (TYP)	ID
700 V	2,65 Ω	4A