F4N70/B4N70/D4N70

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 4A y 700 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N de silicio se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la

Pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Cambio rápido

● Capacidad mejorada de ESD

● Baja resistencia (Rdson≤3.3Ω)

● Carga de puerta baja (tipo: 12,7 nC)

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 2,7 pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.

● Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
700V	2,65Ω	4A