F4N70/B4N70/D4N70

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 700 V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N in silicio sono ottenuti mediante la tecnologia planare autoallineata che riduce il

perdita di conduzione, migliorare le prestazioni di commutazione e aumentare l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS.

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida

● Funzionalità ESD migliorata

● Bassa resistenza (Rdson ≤ 3,3 Ω)

● Bassa carica di gate (tipica: 12,7 nC)

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 2,7 pF)

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%.

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.

● Circuito dell'interruttore di alimentazione dell'adattatore e del caricabatterie.

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
700 V	2,65Ω	4A