110A 85V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS055N85E TO-263

110A 85V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.

2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung