110 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS055N85E TO-263

110 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Splite-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Synchrongleichrichtung in SMPS

● Hartes Schalten und Hochgeschwindigkeitsschaltung

● Elektrowerkzeuge 

● USV 

● Motorsteuerung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
85V	5,5 mΩ	110A