110A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետները օգտագործում էին առաջադեմ splite gate տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● Ցածր դիմադրություն
● Դարպասի ցածր լիցքավորում
● Ձնահոսքի բարձր հոսանք
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ
● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Սինխրոն ուղղում SMPS-ում
● Կոշտ անջատում և բարձր արագությամբ միացում
● Էլեկտրական գործիքներ
● UPS
● Շարժիչի կառավարում
| VDSS |
RDS(միացված)(TYP) |
ID |
| 85 Վ |
5,5 mΩ |
110 Ա |