110A 85V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS055N85E TO-263

110A 85V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş bölünmüş kapı teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur.

2 Özellikler

● Hızlı geçiş

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti 

● Yüksek çığ akıntısı

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● SMPS'de eşzamanlı düzeltme

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre

● Elektrikli aletler 

● UPS 

● Motor kontrolü

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
85V	5,5 mΩ	110A