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DGC75C120M2T

IGBT-Modul 75A 1200V 6 in einem Paket
Verfügbarkeit:
Menge:

75A 1200V 6 in einem Paket

1 Beschreibung

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.

2 Funktionen

● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 2,0 V bei IC = 75 A und Tj = 25 °C

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit

3 Anwendungen

 Schweißen

 USV

 Dreistufiger Wechselrichter

 AC- und DC-Servoantriebsverstärker


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