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DGC75C120M2T

Módulo IGBT 75A 1200V 6 en un solo paquete
Disponibilidad:
Cantidad:

75A 1200V 6 en un paquete

1 Descripción

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 2,0 V @ IC = 75 A y Tj = 25 °C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 aplicaciones

 Soldadura

 UPS

 Inversor de tres niveles

 Amplificador de servoaccionamiento de CA y CC


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