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DGC75C120M2T

Módulo IGBT 75A 1200V 6 en un solo paquete
Disponibilidad:
Cantidad:

75A 1200V 6 en un paquete

1 descripción

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.

2 características

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva

● Voltaje de bajo saturación: VCE (SAT), TYP = 2.0V @ IC = 75A y TJ = 25 ° C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 aplicaciones

 Soldadura

 UPS

 Inverter de tres partidos

 Amplificador de accionamiento de servo de CA y DC


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