grille
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vous êtes ici : Maison » Produits » MODULE IGBT » PIM » DGC75C120M2T

chargement

Partager avec :
bouton de partage Facebook
bouton de partage Twitter
bouton de partage de ligne
bouton de partage WeChat
bouton de partage LinkedIn
bouton de partage Pinterest
bouton de partage WhatsApp
partager ce bouton de partage

DGC75C120M2T

Module IGBT 75A 1200V 6 dans un seul emballage
Disponibilité :
Quantité :

75A 1200V 6 en un seul paquet

1 Descriptif

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

2 Caractéristiques

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 2,0 V @ IC =75A et Tj = 25°C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 candidatures

 Soudage

 UPS

 Onduleur à trois niveaux

 Amplificateur de servomoteur AC et DC


Précédent: 
Suivant: 
  • Inscrivez-vous à notre newsletter
  • préparez-vous pour l'avenir,
    inscrivez-vous à notre newsletter pour recevoir des mises à jour directement dans votre boîte de réception