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160a 650 V Halbbrückenmodul IGBTMODUL DGA160H65M2T 34 mm

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160a 650 V Halbbrückenmodul IGBTMODUL DGA160H65M2T 34 mm

Dieser bipolare Transistor des isolierten Gates verwendete fortschrittliches Design von Graben- und FieldStop -Technologie, das eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Gate -Ladung lieferte. Das entspricht dem ROHS -Standard.

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Modell:
DGA160H65M2T
Marke:
Wxdh
Paket:
34 mm
Datenblatt:
DGA160H65M2T.PDF
V:
650 V
A:
160a

Produktbeschreibung

160a 650 V Halbbrückenmodul

1 Beschreibung

Dieser bipolare Transistor des isolierten Gates verwendete fortschrittliches Design von Graben- und FieldStop -Technologie, das eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Gate -Ladung lieferte. Das entspricht dem ROHS -Standard.

2 Merkmale

● FS -Grabentechnologie, positiver Temperaturkoeffizient

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE (SAT), Typ = 1,8 V @ IC = 160a und TJ = 25 ° C

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit

3 Anwendungen

 Schweißen

 ups

 Wechselrichter mit drei Lichten

 AC- und DC -Servo -Antriebsverstärker

Typ	VCE	IC	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Paket
DGA160H65M2T	650 V	160a (TJ = 100 ℃)	1,8 V (Typ)	175 ℃	34 mm

IGBT -Modul