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160A 650V Halbbrückenmodul IGBTModule DGA160H65M2T 34mm

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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  • DGA160H65M2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA160H65M2T.pdf

  • 650V

  • 160A

160A 650V Halbbrückenmodul


 1 Beschreibung 

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient 

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 1,8 V bei IC = 160 A und Tj = 25 °C 

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 


3 Anwendungen 

 Schweißen 

 USV 

 Dreistufiger Wechselrichter 

 AC- und DC-Servoantriebsverstärker


Typ VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Paket
DGA160H65M2T 650V 160A (Tj=100℃) 1,8 V (typisch) 175℃ 34MM


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