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160A 650V Módulo de medio puente Igbtmodule DGA160H65M2T 34 mm

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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  • DGA160H65M2T

  • Wxdh

  • 34 mm

  • DGA160H65M2T.PDF

  • 650V

  • 160A

160A 650V Módulo de medio puente de medio puente


 1 descripción 

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva 

● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 160A y TJ = 25 ° C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 


3 aplicaciones 

 Soldadura 

 UPS 

 Inverter de tres partidos 

 Amplificador de accionamiento de servo de CA y DC


Tipo VCE Beer Vcesat, TJ = 25 ℃ TJOP Paquete
DGA160H65M2T 650V 160A (TJ = 100 ℃) 1.8V (típ) 175 ℃ 34 mm


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