未命名 (1) (8) (1)
kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » IGBT modul » Piom » 160a 650V Half Bridge modul IGBTModule DGA160H65M2T 34mm

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

160a 650V Half Bridge modul IGBTModule DGA160H65M2T 34mm

Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
Elérhetőség:
mennyiség:
Érdeklődik Adja hozzá a kosárhoz

  • DGA160H65M2T

  • WXDH

  • 34 mm

  • DGA160H65M2T.PDF

  • 650 V -os

  • 160a

160A 650V Half Bridge modul


 1 Leírás 

Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

● FS árok technológiája, pozitív hőmérsékleti együttható 

● Alacsony telítettségi feszültség: VCE (SAT), typ = 1,8v @ ic = 160a és TJ = 25 ° C 

● Rendkívül továbbfejlesztett lavina képesség 


3 alkalmazás 

 Hegesztés 

 UPS 

 Három szintű frekvenciaváltó 

 AC és DC Servo Drive erősítő


Beír Vce IC VCesat, tJ = 25 ℃ Tjop Csomag
DGA160H65M2T 650 V -os 160a (TJ = 100 ℃) 1,8 V (typ) 175 ℃ 34 mm


Előző: 
Következő: 
IGBT modul
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába
    Benyújt
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology készítette Leadong.com