kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » IGBT MODUL » PIM » 160A 650V félhíd modul IGBTModule DGA160H65M2T 34mm

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

160A 650V Félhíd modul IGBTModule DGA160H65M2T 34mm

Ezek a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok fejlett tranch és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
Elérhetőség:
Mennyiség:
  • DGA160H65M2T

  • WXDH

  • 34 mm

  • DGA160H65M2T.pdf

  • 650V

  • 160A

160A 650V Félhíd modul


 1 Leírás 

Ezek a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok fejlett tranch és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

● FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható 

● Alacsony telítési feszültség: VCE(sat), típus = 1,8V @ IC = 160A és Tj = 25°C 

● Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség 


3 Alkalmazások 

 Hegesztés 

 UPS 

 Háromszintű inverter 

 AC és DC szervo meghajtó erősítő


Írja be VCE Ic VCEsat, Tj=25 ℃ Tjop Csomag
DGA160H65M2T 650V 160 A (Tj = 100 ℃) 1,8 V (típus) 175℃ 34 mm


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket