50A 1200V PIM en módulo IGBT de un solo paquete DGC50C120M2T Econo PIM2

PIM de 50 A y 1200 V en un solo paquete

1 Descripción 

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

 Carga de puerta baja 

 Excelente velocidad de conmutación 

 Fácil capacidad de conexión en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat 

 Tsc≥10μs 

 Diodo antiparalelo de corriente completa de recuperación rápida 

 VCEsat bajo 

3 aplicaciones 

 Soldadura 

 UPS 

 Inversor de tres niveles 

 Amplificador de servoaccionamiento de CA y CC

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  Tipo	VCE	ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paquete
  DGC50C120M2T	1200V	50A (Tj=100℃)	1,85 V (típico)	150℃	Econo PIM2