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50A 1200V PIM en un módulo IGBT de un paquete DGC50C120M2T ECONO PIM2

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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50A 1200V PIM en un paquete

1 descripción 

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

 Carga de baja puerta 

 Excelente velocidad de conmutación 

 Capacidad de paralelo fácil debido al coeficiente de temperatura positiva en VCISAT 

 TSC≥10 µs 

 Recuperación rápida de diodo antiparalelo de corriente completa de corriente completa 

 Vcesat bajo 


3 aplicaciones 

 Soldadura 

 UPS 

 Inverter de tres partidos 

 Amplificador de accionamiento de servo de CA y DC



  • Tipo VCE Beer Vcesat, TJ = 25 ℃ TJOP Paquete
    DGC50C120M2T 1200V 50A (TJ = 100 ℃) 1.85V (typ) 150 ℃ Econo PIM2

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