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Module IGBT 50A 1200V PIM dans un seul boîtier DGC50C120M2T Econo PIM2

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Module IGBT 50A 1200V PIM dans un seul boîtier DGC50C120M2T Econo PIM2

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

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Modèle:
DGC50C120M2T
Marque:
WXDH
Emballer:
Écono PIM2
Fiche de données:
DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
V :
1200V
UN:
50A

Description du produit

PIM 50 A 1 200 V dans un seul boîtier

1 Descriptif

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

2 Caractéristiques

 Faible charge de porte

 Excellente vitesse de commutation

 Capacité de mise en parallèle facile grâce au coefficient de température positif dans VCEsat

 Tsc≥10µs

 Diode antiparallèle à courant complet à récupération rapide

 Faible VCEsat

3 candidatures

 Soudage

 UPS

 Inverseur à trois niveaux

 Amplificateur de servomoteur AC et DC

Taper	VCE	IC	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Emballer
DGC50C120M2T	1200V	50A (Tj=100℃)	1,85 V (type)	150℃	Écono PIM2

Module IGBT