50A 1200V PIM dans un module IGBT IGBT One-Package DGC50C120M2T ECONO PIM2

50A 1200V PIM en un package

1 Description 

Ces transistors bipolaires de grille isolés ont utilisé la conception avancée de la technologie de tranchée et de perfectionnement de champ, ont fourni un excellent VCESAT et une vitesse de commutation, une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 

2 caractéristiques 

 Charge de porte basse 

 Excellente vitesse de commutation 

 Capacité de parallèle facile en raison d'un coefficient de température positif dans VCESAT 

 TSC≥10 µs 

 Diode anti-parallèle de courant complet de récupération rapide 

 Vcesat bas 

3 applications 

 Soudage 

 UPS 

 Onduleur à trois levés 

Amplificateur AC et DC Servo Drive

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  Taper	Vce	IC	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Emballer
  DGC50C120M2T	1200 V	50a (tj = 100 ℃)	1,85 V (TYP)	150 ℃	Econo Pim2