50a 1200V PIM no módulo IGBT de uma embalagem DGC50C120M2T ECONO PIM2

50a 1200V PIM em uma pilha

1 Descrição 

Esses transistores bipolares de porta isolados usaram o design avançado da tecnologia e da tecnologia de campo avançado, proporcionou excelente VCESAT e velocidade de comutação, carga baixa do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 

2 recursos 

 Baixa carga do portão 

 Excelente velocidade de troca 

 Capacidade de paralelo fácil devido ao coeficiente de temperatura positivo no VCESAT 

 TSC≥10µs 

 Recuperação rápida Diodo anti-paralelo de corrente completa 

 Baixo vcesat 

3 aplicações 

 Soldagem 

 UPS 

Inversor de três levas 

 O amplificador de acionamento de servo AC e CC

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  Tipo	VCE	Ic	Vcesat, tj = 25 ℃	TJOP	Pacote
  DGC50C120M2T	1200V	50a (tj = 100 ℃)	1.85V (Typ)	150 ℃	Econo Pim2