50A 1200V PIM em módulo IGBT de pacote único DGC50C120M2T Econo PIM2

50A 1200V PIM em pacote único

1 Descrição 

Esses transistores bipolares de porta isolada usaram design avançado de tecnologia de trincheira e Fieldstop, forneceram excelente VCEsat e velocidade de comutação, baixa carga de porta. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

 Baixa carga de portão 

 Excelente velocidade de comutação 

 Fácil capacidade de paralelismo devido ao coeficiente de temperatura positivo no VCEsat 

 Tsc≥10µs 

 Diodo antiparalelo de corrente total de recuperação rápida 

 VCEsat baixo 

3 aplicações 

 Soldagem 

 UPS 

 Inversor de três níveis 

 Amplificador de servo acionamento CA e CC

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  Tipo	VCE	Eu	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pacote
  DGC50C120M2T	1200 V	50A (Tj=100℃)	1,85 V (tipo)	150°C	Econo PIM2