pintu gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » Modul IGBT » Pim » » 50A 1200V PIM dalam satu pakej modul IGBT DGC50C120M2T ECONO PIM2

Memuatkan

Kongsi ke:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian garis
butang perkongsian WeChat
butang perkongsian LinkedIn
butang perkongsian Pinterest
butang perkongsian WhatsApp
butang perkongsian sharethis

50A 1200V PIM dalam satu pakej modul IGBT DGC50C120M2T ECONO PIM2

Transistor bipolar gerbang terlindung ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan lapangan yang maju, dengan syarat kelajuan vCesat dan kelajuan yang sangat baik, caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
Ketersediaan:
Kuantiti:

50A 1200V PIM dalam satu pakej

1 Penerangan 

Transistor bipolar gerbang terlindung ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan lapangan yang maju, dengan syarat kelajuan vCesat dan kelajuan yang sangat baik, caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS. 


2 ciri 

 Caj pintu rendah 

 Kelajuan menukar yang sangat baik 

 Keupayaan paralel mudah disebabkan oleh pekali suhu positif dalam vcesat 

 TSC≥10μs 

 Pemulihan cepat diod anti-selari semasa 

 vcesat rendah 


3 aplikasi 

 Kimpalan 

 UPS 

 Inverter tiga-leve 

 AC dan DC Servo Drive Amplifier



  • Jenis Vce IC Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Pakej
    DGC50C120M2T 1200v 50A (TJ = 100 ℃) 1.85V (typ) 150 ℃ Econo Pim2

Sebelumnya: 
Seterusnya: 
  • Daftar untuk surat berita kami
  • Bersedia untuk
    mendaftar masa depan untuk buletin kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda