ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » Модуль IGBT »» Пим » 50a 1200V PIM в однопакете IGBT Module DGC50C120M2T ECONO PIM2

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

50A 1200V PIM в однопакете IGBT MODULE DGC50C120M2T ECONO PIM2

В этих изолированных биполярных транзисторах затвора использовались передовые траншеи и технологии полевого стопа, обеспечивали отличную скорость VCESAT и скорость переключения, низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:
  • DGC50C120M2T

  • WXDH

  • Econo Pim2

  • DGC50C120M2T-REV1.0.PDF

  • 1200 В.

  • 50а

50A 1200 В PIM в одном пакете

1 Описание 

В этих изолированных биполярных транзисторах затвора использовались передовые траншеи и технологии полевого стопа, обеспечивали отличную скорость VCESAT и скорость переключения, низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции 

 Низкий заряд затвора 

 Отличная скорость переключения 

 Легкая способность параллелей из -за положительного температурного коэффициента в VCESAT 

 TSC≥10 мкс 

 Быстрое восстановление полнокномочного антипараллельного диода 

 Низкий VCESAT 


3 приложения 

 Сварка 

 UPS 

 Трехлетний инвертор 

 Усилитель сервопривод AC и DC Servo Drive



  • Тип Vce IC VCESAT, TJ = 25 ℃ TJOP Упаковка
    DGC50C120M2T 1200 В. 50a (TJ = 100 ℃) 1,85 В (тип) 150 ℃ Econo Pim2

Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик