50A 1200V PIM in einem IGBT-Modul DGC50C120M2T Econo PIM2

50A 1200V PIM in einem Paket

1 Beschreibung 

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

 Niedrige Gate-Ladung 

 Hervorragende Schaltgeschwindigkeit 

 Einfache Parallelschaltungsfähigkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat 

 Tsc≥10µs 

 Antiparallele Diode mit schneller Wiederherstellung und vollem Strom 

 Niedriger VCEsat 

3 Anwendungen 

 Schweißen 

 USV 

 Dreistufiger Wechselrichter 

 AC- und DC-Servoantriebsverstärker

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  Typ	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paket
  DGC50C120M2T	1200V	50A (Tj=100℃)	1,85 V (typisch)	150℃	Econo PIM2