50A 1200V PIM im Ein-Package-IGBT-Modul DGC50C120M2T ECONO PIM2

50a 1200 V Pim in One-Package

1 Beschreibung 

Dieser bipolare Transistor des isolierten Gates verwendete fortschrittliches Design von Graben- und FieldStop -Technologie, das eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Gate -Ladung lieferte. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

 Ladung mit niedriger Torladung 

 Ausgezeichnete Schaltgeschwindigkeit 

 Einfache Paralleling -Fähigkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in vcesat 

 TSC ≥ 10 µs 

 Schnelle Wiederherstellung voller Strom anti-paralleler Diode 

 niedrige vcesat 

3 Anwendungen 

 Schweißen 

 ups 

 Wechselrichter mit drei Lichten 

 AC- und DC -Servo -Antriebsverstärker

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  Typ	VCE	IC	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Paket
  DGC50C120M2T	1200V	50a (tj = 100 ℃)	1,85 V (Typ)	150 ℃	ECONO PIM2