Módulo de medio puente 250A 1200V IGBTMódulo DGB250H120L2T 62mm

Módulo de medio puente 250A 1200V

1 Descripción 

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

  ● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

  ● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,7 V @ IC = 600 A y Tj = 25 °C 

  ● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 

3 aplicaciones 

• Soldadura 

• Unión Postal Universal 

• Inversor de tres niveles 

• Amplificador servoaccionador de CA y CC

  
  

  Tipo	VCE	ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paquete
  DGB250H120L2T	1200V	250A (Tj=100℃)	1,95 V (típico)	175℃	62MM