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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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250A 1200V 하프 브리지 모듈 IGBTMODULE DGB250H120L2T 62mm

이 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 고급 트렌치 및 필드 스톱 기술 설계를 사용하여 우수한 VCESAT 및 스위칭 속도, 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. ROHS 표준에 따릅니다.
가용성 :
수량 :
묻다 바스켓에 추가하십시오

  • DGB250H120L2T

  • WXDH

  • 62mm

  • DGB250H120L2T-REV1.1.pdf

  • 1200V

  • 250A

250A 1200V 하프 브리지 모듈


1 설명 

이 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 고급 트렌치 및 필드 스톱 기술 설계를 사용하여 우수한 VCESAT 및 스위칭 속도, 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. ROHS 표준에 따릅니다. 


2 가지 기능 

  ● FS 트렌치 기술, 양의 온도 계수 

  ● 낮은 포화 전압 : VCE (SAT), TYP = 1.7V @ IC = 600A 및 TJ = 25 ° C 

  ● 매우 향상된 눈사태 기능 


3 응용 프로그램 

  • 용접 

  • UPS 

  • 3 leve 인버터 

  • AC 및 DC 서보 드라이브 앰프


    유형 VCE IC vcesat, tj = 25 ℃ tjop 패키지
    DGB250H120L2T 1200V 250A (TJ = 100 ℃) 1.95V (타이핑) 175 ℃ 62mm
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