πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » ΕΝΟΤΗΤΑ IGBT » PIM » Μονάδα μισής γέφυρας 250A 1200V IGBTMmodule DGB250H120L2T 62mm

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

Μονάδα μισής γέφυρας 250A 1200V IGBTMmodule DGB250H120L2T 62mm

Αυτό το διπολικό τρανζίστορ Insulated Gate χρησιμοποιούσε προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας τάφρου και Fieldstop, παρείχε εξαιρετική ταχύτητα VCEsat και μεταγωγή, χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • DGB250H120L2T

  • WXDH

  • 62 χιλιοστά

  • DGB250H120L2T-REV1.1.pdf

  • 1200V

  • 250Α

Μονάδα μισής γέφυρας 250A 1200V


1 Περιγραφή 

Αυτό το διπολικό τρανζίστορ Insulated Gate χρησιμοποιούσε προηγμένο σχεδιασμό τεχνολογίας τάφρου και Fieldstop, παρείχε εξαιρετική ταχύτητα VCEsat και μεταγωγή, χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 


2 Χαρακτηριστικά 

  ● Τεχνολογία FS Trench, Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας 

  ● Χαμηλή τάση κορεσμού: VCE(sat), typ = 1,7V @ IC =600A και Tj = 25°C 

  ● Εξαιρετικά βελτιωμένη ικανότητα χιονοστιβάδας 


3 Εφαρμογές 

  • Συγκόλληση 

  • UPS 

  • Μετατροπέας τριών επιπέδων 

  • Ενισχυτής σερβοκινητήρα AC και DC


    Τύπος VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Πακέτο
    DGB250H120L2T 1200V 250A (Tj=100℃) 1,95 V (Τύπος) 175℃ 62mm
Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας