250A 1200V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ IGBTModule DGB250H120L2T 62 ມມ

250A 1200V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ

1 ຄຳອະທິບາຍ 

ເຫຼົ່ານີ້ Insulated Gate Transistor ໄດ້ນໍາໃຊ້ trench ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະການອອກແບບເຕັກໂນໂລຊີ Fieldstop, ສະຫນອງ VCEsat ທີ່ດີເລີດແລະຄວາມໄວສະຫຼັບ, ຄ່າບໍລິການປະຕູຕ່ໍາ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ 

  ● FS Trench Technology, ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ 

  ● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 1.7V @ IC = 600A ແລະ Tj = 25°C 

  ● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

• ການເຊື່ອມໂລຫະ 

• UPS 

• Inverter ສາມລະດັບ 

• ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ AC ແລະ DC servo drive

  
  

  ປະເພດ	VCE	ໄອຄ	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	ຊຸດ
  DGB250H120L2T	1200V	250A (Tj=100℃)	1.95V (ປະເພດ)	175 ℃	62ມມ