You Are Here: Rumah » Produk » Modul IGBT » Pim » 250A 1200V Modul Jembatan Setengah IGBTModule DGB250H120L2T 62mm

Bagikan ke:

250A 1200V Modul Jembatan Setengah IGBTModule DGB250H120L2T 62mm

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.

Ketersediaan:

Kuantitas:



Menanyakan Tambahkan ke keranjang

Model:
DGB250H120L2T
Merek:
Wxdh
Kemasan:
62mm
Lembar data:
DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
V:
1200v
A:
250a

Deskripsi produk

Modul Jembatan Setengah 250A 1200V

1 deskripsi

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.

2 fitur

● Teknologi parit FS, koefisien suhu positif

● Tegangan saturasi rendah: VCE (SAT), typ = 1.7v @ ic = 600a dan tj = 25 ° C

● Kemampuan longsoran yang sangat ditingkatkan

3 aplikasi

Pengelasan
UPS
Inverter tiga leve
AC dan DC Servo Drive Amplifier

Jenis Vce Ic Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Kemasan

DGB250H120L2T 1200v 250a (tj = 100 ℃) 1.95v (Typ) 175 ℃ 62mm

Sebelumnya:

Berikutnya:

Modul IGBT

Jenis	Vce	Ic	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Kemasan
DGB250H120L2T	1200v	250a (tj = 100 ℃)	1.95v (Typ)	175 ℃	62mm